風華高科完備的壓敏電阻產(chǎn)品線

壓敏電阻是一個電壓依賴性電阻器。主要用于照顧不同形狀的電壓瞬變。與熱敏電阻不同，它沒有實際的功能延遲。正如熱敏電阻一樣，壓敏電阻是由壓縮和燒結(jié)的粉末化合物制成的，該化合物由碳化硅（SiC）或氧化鋅（ZnO）組成。ZnO壓敏電阻具有優(yōu)秀的特性，并在當今所有制造中占主導地位。風華高科擁有完備的壓敏電阻產(chǎn)品線。多層片式壓敏（MLV），車規(guī)疊層片式壓敏，直插氧化鋅壓敏，鈦酸鍶環(huán)形壓敏，完*能夠滿足各類客戶的需求。具體看后面的分類。

如果我們將氧化鋅與其他金屬氧化物添加劑一起燒結(jié)，就會形成多晶陶瓷。在氧化鋅晶粒的晶間邊界中形成具有半導體特性的PN結(jié)-所謂的雙肖特基勢壘-具有整流特性。每個具有粘附邊界的ZnO晶粒都充當具有對稱V / I特性的微型壓敏電阻。可以將谷物化合物視為串聯(lián)和并聯(lián)連接的“微壓敏電阻”的集合體。因此，以這種方式的負載和能量吸收能力將完*優(yōu)于傳統(tǒng)的半導體元件。在那里，發(fā)電僅發(fā)生在薄的PN邊界，而在壓敏電阻中，發(fā)電發(fā)生在整個體內(nèi)均勻分布的所有微壓敏電阻中。

“壓敏電阻"是一種具有非線性伏安特性的電阻器件，主要用于在電路承受過壓時進行電壓鉗位，吸收多余的電流以保護敏感器件。英文名稱叫“Voltage Dependent Resistor”簡寫為“VDR”, 或者叫做“Varistor"?，F(xiàn)在大量使用的"氧化鋅"（ZnO）壓敏電阻器。在中國臺灣，壓敏電阻器稱為"突波吸收器",有時也稱為“電沖擊（浪涌）抑制器（吸收器）”。

壓敏電阻是一種限壓型保護器件。利用壓敏電阻的非線性特性，當過電壓出現(xiàn)在壓敏電阻的兩極間，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個相對固定的電壓值，從而實現(xiàn)對后級電路的保護。壓敏電阻的主要參數(shù)有：壓敏電壓、通流容量、結(jié)電容、響應時間等。

優(yōu)點：

各種直徑尺寸：SMD、5mm、7mm、10mm、14mm、20mm、25mm、32mm、34mm、40mm、53mm

廣泛的可變電阻電壓范圍：18V-1800V

多種浪涌承受能力：標準、高浪涌、超高浪涌

大電流處理和能量吸收能力

單體通流量可達到70KA甚至更高

快反應時間，低泄露電流

風華高科在壓敏電阻上也有著完備的產(chǎn)品線，多層片式壓敏（MLV），車規(guī)疊層片式壓敏，直插氧化鋅壓敏，鈦酸鍶環(huán)形壓敏，完*能夠滿足各類客戶的需求。下面具體介紹一下。

多層片式壓敏（MLV）

車規(guī)疊層片式壓敏電阻（APV系列，對標常規(guī)FPV，尺寸范圍略小160808-453215）

直插氧化鋅壓敏電阻

鈦酸鍶環(huán)形壓敏電阻

基本參數(shù)

1． 標稱壓敏電壓(V)：指通過規(guī)定持續(xù)時間的脈沖電流（一般為1mA 持續(xù)時間一般小于400mS）時壓敏電阻器兩端的電壓值。

2．電壓比：指壓敏電阻器的電流為1mA時產(chǎn)生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時產(chǎn)生的電壓值之比。

3． *大限制電壓(V)：在壓敏能承受的*大脈沖峰值電流Ip及規(guī)定波形下壓敏電阻兩端電壓峰值。

4． 殘壓比：通過壓敏電阻器的電流為某一值時，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標稱電壓之比。

5． 通流容量(kA)：通流容量也稱通流量，是指在規(guī)定的條件（規(guī)定的時間間隔和次數(shù)，施加標準的沖擊電流）下，允許通過壓敏電阻器上的*大脈沖（峰值）電流值。

6． 漏電流(mA)：漏電流也稱等待電流，是指壓敏電阻器在規(guī)定的溫度和*大直流電壓下，流過壓敏電阻器電流。

7． 電壓溫度系數(shù)：指在規(guī)定的溫度范圍（溫度為20℃～70℃）內(nèi)，壓敏電阻器標稱電壓的變化率，即在通過壓敏電阻器的電流保持恒定時，溫度改變1℃時，壓敏電阻器兩端電壓的相對變化。

8． 電流溫度系數(shù)：指在壓敏電阻器的兩端電壓保持恒定時，溫度改變1℃時，流過壓敏電阻器電流的相對變化。

9． 電壓非線性系數(shù)：指壓敏電阻器在給定的外加電壓作用下，其靜態(tài)電阻值與動態(tài)電阻值之比。

10． 絕緣電阻：指壓敏電阻器的引出線(引腳)與電阻體絕緣表面之間的電阻值。

11． 靜態(tài)電容量（PF）：指壓敏電阻器本身固有的電容容量。

12 .額定功率：在特定的環(huán)境溫度85℃下工作1000小時，使壓敏電壓變化小于10%的*大功率。

13 .*大沖擊電流(8/20us):以特定的脈沖電流(8/20us波形)沖擊壓敏電阻器一次或兩次（每次間隔5分鐘）， 使的壓敏電壓變化仍在10%以內(nèi)的*大沖擊電流。